Электроника вариант 5
| Цена, руб. | 500 |
| Номер работы | 2709 |
| Предмет | Электроника и радиотехника |
| Тип работы | Контрольная |
| Объем, стр. | 11 |
| Оглавление | 1.5. Найдите контактную разность потенциалов при T = 340 К. Удельное сопротивление p -области германиевого p - n перехода ρp = 2 Ом∙см, а удельное сопротивление n -области ρn = 1 Ом∙см. Концентрация носителей заряда и подвижность электронов и дырок принять равными 2.5 ∙ 1013 см-3 , 0.12 и 0.05 м2 ∙ В / с соответственно. 2.5. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при T = 300 К , если германиевый p - n переход имеет обратный ток насыщения I0 = 5 мкА, а кремниевый - I0 = 10-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 мА. 3.5. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 20°C и обратном напряжении U1 = 1 В равна C1 = 10 нФ. Найдите его емкость при обратном напряжении U2 = 10 В. Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = 1.5 ∙ 1016 м-3 , концентрация акцепторной примеси Na = 1020 м-3 , концентрация донорной примеси Nd = 2 ∙ 1020 м-3 . 4.5. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 55°C и токе, протекающем через диод, равном I = 0.3 мА. 5.5. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ803А для схемы с общим эмиттером (рис.3) определите систему h -параметров в рабочей точке заданной током базы IБРТ = 0.1 А и напряжением коллектора UКЭРТ = 10 В. 6.5. Биполярный транзистор КТ803А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания Eпит = 40 В, ток базы Iб = 150 мА, сопротивление нагрузки RН = 10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис.3), определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора. 7.5. Транзистор p - n - p включен по схеме, изображенной на рис.4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора  = 0.98 и обратный ток коллекторного перехода IКБ0 = 10 мкА . 8.5. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц , а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21Б0 = 0.96. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 30 МГц. 9.5. Найти систему Y -параметров транзистора, если известна система его h -параметров: h11 = 50 кОм; h12 = 0.005; h21 = 50; h22 = 5 ∙ 10-4 Ом-1 . 10.5. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ1405А, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 7 В, эмиттер 10 В, база 1 В. Ответ поясните. 11.5. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП302В для схемы с общим истоком (рис.5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутреннее сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке, заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: UЗИРТ = -2 В, UСИРТ = 5 В. 12.5. Полевой транзистор КП302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Eпит = 15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RН = 500 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис.5), найдите ток стока и напряжение сток-исток. 13.5. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП302В для схемы с общим истоком (рис.5) определите систему Y -параметров в рабочей точке, заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: UЗИРТ = -2 В, UСИРТ = 5 В. Ток затвора считать равным нулю. 14.5. Полевой транзистор с управляющим p - n переходом ток стока Iс max = 1 мА напряжение отсечки Uотс = 14 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор-исток равном Uзи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае. 15.5. Объясните, почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина. 16.5. Объясните, почему с увеличением частоты сигнала уменьшается коэффициент передачи тока эмиттера в биполярном транзисторе. 17.5. Объясните, почему транзисторы с p-n затвором и каналом n-типа не используются при положительных значениях напряжения затвор-исток. 18.5. Объясните, почему с увеличением напряжения затвор-исток возрастает ток стока МДП-транзистора с каналом n-типа. |
| Цена, руб. | 500 |
Заказать работу «Электроника вариант 5»
Отзывы
-
20.11
Виктория, большое вам спасибо! Очень быстро все, даже не ожидала ))
Екатерина -
11.11
Сергей, большое Вам спасибо, защитила на отлично! Сказали, хорошая работа. Этого бы не было без Ваше
Наталья -
01.11
Это все благодаря вам. Я уже по вашим материалам тут все изучаю. Спасибо огромное вам и автору! Гос
Оксана